| 答え |
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| 解説
DRAMとSRAMには構造上大きな違いがあります。DRAMは、1ビットの情報を記憶するためにキャパシタを利用しますが、キャパシタは、電圧を加えると一定期間その電圧を保持することができるので、"1"を書き込むために電圧を加え、その重圧が保持されていれば"1"という情報を読み出すことができます。ただし、一定期間を過ぎると電圧を保持することができなくなるので、その前にもう一度情報の書き込み(リフレッシュ)をする必要があります。一方、SRAMは論理回路の組合せによって、"1"と"0"のどちらの状態も保持することのできるフリップフロップ回路を構成します。フリップフロップは構成が複雑なので、記憶素子の内部構成も複雑になります。 ア:DRAMはキャパシタを用いているため、電圧の立ち上がりに時間がかかります。したがって、論理回路によって構成されるSRAMより速度の点で劣ります。 イ:DRAMはリフレッシュ動作が必要です。 ウ:SRAMのほうが内部構成が複雑です。 エ:正しい。 |
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